Ränikarbiid SiC

Kirjeldus

Ränikarbiidist vahvel SiC, on ülikõva, sünteetiliselt MOCVD meetodil valmistatud räni ja süsiniku kristalne ühend ning sellel onselle ainulaadne lai ribalaius ja muud soodsad omadused: madal soojuspaisumistegur, kõrgem töötemperatuur, hea soojuse hajumine, väiksemad lülitus- ja juhtivuskadud, energiasäästlikum, kõrge soojusjuhtivus ja tugevam elektrivälja läbilöögitugevus, samuti kontsentreeritumad voolud tingimus.Ettevõtte Western Minmetals (SC) Corporation silicon Carbide SiC saab pakkuda läbimõõduga 2" 3' 4" ja 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) koos n-tüüpi, poolisoleeriva või näivplaadiga tööstuslikuks kasutamiseks ja laborirakendused. Kõik kohandatud spetsifikatsioonid on ideaalseks lahenduseks meie klientidele kogu maailmas.

Rakendused

Kvaliteetne 4H/6H ränikarbiidist SiC vahvel sobib suurepäraselt paljude tipptasemel ülikiire, kõrge temperatuuriga ja kõrgepinge elektroonikaseadmete, nagu Schottky dioodid ja SBD, suure võimsusega lülitus-MOSFET-id ja JFET-id jne valmistamiseks. samuti soovitav materjal isoleeritud väravaga bipolaarsete transistoride ja türistorite uurimis- ja arendustegevuses.Silicon Carbide SiC vahvel on silmapaistev uue põlvkonna pooljuhtmaterjal, mis toimib ka tõhusa soojusjaotajana suure võimsusega LED-i komponentides või stabiilse ja populaarse substraadina GaN kihi kasvatamiseks, mis on kasulik tulevaste sihipäraste teadusuuringute jaoks.

Küsige kohe

Üksikasjad

Sildid

Tehniline kirjeldus

Ränikarbiid SiC

Ränikarbiid SiCWestern Minmetals (SC) Corporationis saab pakkuda läbimõõduga 2" 3' 4" ja 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) n-tüüpi, poolisolatsiooni või näivvahvlit tööstuslikuks ja laboratoorseks kasutamiseks . Kõik kohandatud spetsifikatsioonid on ideaalseks lahenduseks meie klientidele kogu maailmas.

Lineaarne valem	SiC
Molekulmass	40.1
Kristalli struktuur	Wurtzite
Välimus	Tahke
Sulamispunkt	3103±40K
Keemispunkt	Ei kehti
Tihedus 300K juures	3,21 g/cm³
Energialõhe	(3.00-3.23) eV
Sisemine takistus	>1E5 Ω-cm
CAS number	409-21-2
EÜ number	206-991-8

Ei.	Üksused	Standardne spetsifikatsioon
1	SiC suurus	2"	3"	4"	6"
2	Läbimõõt mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Kasvumeetod	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Juhtivuse tüüp	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Eritakistus Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orienteerumine	0°±0,5°;4,0° <1120> suunas
7	Paksus μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Peamine korteri asukoht	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Esmane tasapinnaline pikkus mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Teisese korteri asukoht	Räni esikülg üles: 90°, päripäeva aluspinnast ±5,0°
11	Sekundaarne tasapinnaline pikkus mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Vööri μm max	40	40	40	40
14	Lõike μm max	60	60	60	60
15	Serva välistamine mm max	1	2	3	3
16	Mikrotoru tihedus cm-2	<5, tööstuslik;<15, lab;<50, mannekeen
17	Dislokatsioon cm-2	<3000, tööstuslik;<20000, labor;<500000, näiv
18	Pinna karedus nm max	1 (poleeritud), 0,5 (CMP)
19	Praod	Puudub, tööstusliku kvaliteediga
20	Kuusnurksed plaadid	Puudub, tööstusliku kvaliteediga
21	Kriimud	≤3 mm, kogupikkus väiksem kui substraadi läbimõõt
22	Edge Chips	Puudub, tööstusliku kvaliteediga
23	Pakkimine	Üks vahvlimahuti, mis on suletud alumiiniumist komposiitkotti.

Ränikarbiid SiC 4H/6Hkvaliteetne vahvel sobib suurepäraselt paljude tipptasemel ülikiirete, kõrge temperatuuriga ja kõrgepingeliste elektroonikaseadmete, nagu Schottky dioodid ja SBD, suure võimsusega lülitus-MOSFET-id ja JFET-id jne tootmiseks. See on ka soovitav materjal isoleeritud paisuga bipolaarsete transistoride ja türistorite uurimis- ja arendustegevus.Silicon Carbide SiC vahvel on silmapaistev uue põlvkonna pooljuhtmaterjal, mis toimib ka tõhusa soojusjaotajana suure võimsusega LED-i komponentides või stabiilse ja populaarse substraadina GaN kihi kasvatamiseks, mis on kasulik tulevaste sihipäraste teadusuuringute jaoks.