Gallium Antimoniid GaSb

Kirjeldus

Gallium Antimoniid GaSb, tsink-seguvõre struktuuriga III–V rühmade ühendite pooljuht, sünteesitakse 6N 7N kõrge puhtusastmega galliumi ja antimoni elementidega ning kasvatatakse LEC-meetodil kristalliks suundkülmutatud polükristallilisest valuplokist või VGF-meetodil, mille EPD <1000cm^-3.GaSb-vahvlit saab tükeldada ja hiljem valmistada monokristallilisest valuplokist, millel on kõrge elektriliste parameetrite ühtlus, ainulaadsed ja püsivad võrestruktuurid ning madal defektide tihedus ja kõrgeim murdumisnäitaja kui enamikul teistel mittemetallilistel ühenditel.GaSb-d saab töödelda laias valikus täpse või väljalülitatud orientatsiooniga, madala või kõrge legeeritud kontsentratsiooniga, hea pinnaviimistlusega ja MBE või MOCVD epitaksiaalseks kasvuks.Galliumantimoniidi substraati kasutatakse kõige kaasaegsemates fotooptilistes ja optoelektroonilistes rakendustes, nagu fotodetektorite tootmine, pika elueaga, kõrge tundlikkusega ja töökindlusega infrapunadetektorid, fotoresisti komponendid, infrapuna-LED-id ja laserid, transistorid, termilised fotogalvaanilised elemendid ja termo-fotogalvaanilised süsteemid.

Kohaletoimetamine

Gallium Antimonide GaSb ettevõttes Western Minmetals (SC) Corporation saab pakkuda n-tüüpi, p-tüüpi ja legeerimata poolisolatsioonijuhtivust läbimõõduga 2” 3” ja 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm), orientatsiooniga <111> või <100> ja vahvlipinna viimistlusega, mis on lõigatud, söövitatud, poleeritud või kvaliteetsed epitaksivalmidusega.Kõik lõigud on identiteedi tagamiseks laseriga eraldi kirjutatud.Samal ajal kohandatakse soovi korral ka polükristalliline galliumantimoniidi GaSb tükk ideaalseks lahenduseks.

Küsige kohe

Üksikasjad

Sildid

Tehniline kirjeldus

Galliumi antimoniid

GaSb

Gallium Antimoniid GaSbsubstraati kasutatakse kõige tipptasemel fotooptilistes ja optoelektroonilistes rakendustes, nagu fotodetektorite, pika elueaga, kõrge tundlikkuse ja töökindlusega infrapunadetektorite, fotoresistkomponentide, infrapuna-LED-de ja laserite, transistorite, termiliste fotogalvaaniliste elementide ja termoelementide valmistamisel. - fotogalvaanilised süsteemid.

	Üksused	Standardne spetsifikatsioon
1	Suurus	2"	3"	4"
2	Läbimõõt mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Kasvumeetod	LEC	LEC	LEC
4	Juhtivus	P-tüüpi/Zn-legeeritud, legeerimata, N-tüüpi/Te-legeeritud
5	Orienteerumine	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Paksus μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientatsioon Lame mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifitseerimine Lame mm	8±1	11±1	18±1
9	Liikuvus cm2/Vs	200-3500 või vastavalt vajadusele
10	Kandja kontsentratsioon cm-3	(1-100)E17 või vastavalt vajadusele
11	TTV μm max	15	15	15
12	Vööri μm max	15	15	15
13	Lõike μm max	20	20	20
14	Dislokatsiooni tihedus cm-2 max	500	1000	2000
15	Pinnaviimistlus	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakkimine	Üksik vahvlimahuti, mis on suletud alumiiniumkotti.

Lineaarne valem	GaSb
Molekulmass	191,48
Kristalli struktuur	Tsingi segu
Välimus	Hall kristalne tahke aine
Sulamispunkt	710 °C
Keemispunkt	Ei kehti
Tihedus 300K juures	5,61 g/cm³
Energialõhe	0,726 eV
Sisemine takistus	1E3 Ω-cm
CAS-i number	12064-03-8
EÜ number	235-058-8

Gallium Antimoniid GaSbWestern Minmetals (SC) Corporationis saab pakkuda n-tüüpi, p-tüüpi ja legeerimata poolisolatsioonijuhtivust läbimõõduga 2” 3” ja 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm), orientatsiooniga <111> või <100 > ja vahvlipinna viimistlusega, mis on lõigatud, söövitatud, poleeritud või kvaliteetsed epitaksivalmidusega.Kõik lõigud on identiteedi tagamiseks laseriga eraldi kirjutatud.Samal ajal kohandatakse soovi korral ka polükristalliline galliumantimoniidi GaSb tükk ideaalseks lahenduseks.