Galliumfosfiid GaP

Kirjeldus

Gallium Phosphide GaP, oluline unikaalsete elektriliste omadustega pooljuht nagu teisedki III-V liitmaterjalid, kristalliseerub termodünaamiliselt stabiilses kuubilises ZB struktuuris, on oranžikaskollane poolläbipaistev kristallmaterjal, mille kaudne ribavahemik on 2,26 eV (300K), mis on sünteesitud 6N 7N kõrge puhtusastmega galliumist ja fosforist ning kasvatatud monokristallideks Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) tehnikaga.Galliumfosfiidi kristall on legeeritud väävli või telluuriga, et saada n-tüüpi pooljuht, ja tsinki, mis on legeeritud p-tüüpi juhtivusena, et valmistada edasi soovitud plaati, mida kasutatakse optilistes süsteemides, elektroonilistes ja muudes optoelektroonikaseadmetes.Single Crystal GaP vahvli saab valmistada Epi-Readyna teie LPE, MOCVD ja MBE epitaksiaalseks rakenduseks.Western Minmetals (SC) Corporationis saab pakkuda kvaliteetset monokristalli galliumfosfiid GaP vahvlit p-tüüpi, n-tüüpi või legeerimata juhtivusega 2" ja 3" (50 mm, läbimõõt 75 mm), orientatsiooniga <100>, <111 > pinnaviimistlusega nagu lõigatud, poleeritud või epi-valmis protsessiga.

Rakendused

Madala voolu ja suure valgust kiirgava efektiivsusega galliumfosfiidi GaP vahvel sobib optiliste kuvarisüsteemide jaoks, nagu odavad punased, oranžid ja rohelised valgusdioodid (LED-id) ning kollase ja rohelise LCD taustvalgustus jne ning LED-kiipide tootmiseks. Madala kuni keskmise heledusega GaP-i kasutatakse laialdaselt ka infrapunaandurite ja seirekaamerate tootmise põhisubstraadina.

Küsige kohe

Üksikasjad

Sildid

Tehniline kirjeldus

Galliumfosfiid GaP

Western Minmetals (SC) Corporationi kvaliteetse monokristallilise galliumfosfiidi GaP vahvli või substraadi p-tüüpi, n-tüüpi või legeerimata juhtivusega saab pakkuda läbimõõduga 2" ja 3" (50 mm, 75 mm), orientatsioon <100> , <111> pinnaviimistlusega lõigatud, lapitud, söövitatud, poleeritud, epi-valmis töödeldud ühes vahvlimahutis, mis on suletud alumiiniumkomposiitkotti või kohandatud spetsifikatsiooniga täiusliku lahenduse saavutamiseks.

Ei.	Üksused	Standardne spetsifikatsioon
1	GaP suurus	2"
2	Läbimõõt mm	50,8 ± 0,5
3	Kasvumeetod	LEC
4	Juhtivuse tüüp	P-tüüpi/Zn-legeeritud, N-tüüpi/(S, Si,Te)-legeeritud, legeerimata
5	Orienteerumine	<1 1 1> ± 0,5°
6	Paksus μm	(300–400) ± 20
7	Eritakistus Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientatsioon Lame (OF) mm	16±1
9	Identifitseerimine Lame (IF) mm	8±1
10	Halli liikuvus cm2/Vs min	100
11	Kandja kontsentratsioon cm^-3	(2-20) E17
12	Dislokatsiooni tihedus cm^-2max	2.00E+05
13	Pinna viimistlus	P/E, P/P
14	Pakkimine	Üks vahvlimahuti, mis on suletud alumiiniumist komposiitkotti, pappkarp väljaspool

Lineaarne valem	GaP
Molekulmass	100,7
Kristalli struktuur	Tsingi segu
Välimus	Oranž tahke aine
Sulamispunkt	Ei kehti
Keemispunkt	Ei kehti
Tihedus 300K juures	4,14 g/cm³
Energialõhe	2,26 eV
Sisemine takistus	Ei kehti
CAS number	12063-98-8
EÜ number	235-057-2

Gallium fosfiid GaP vahvel, väikese voolu ja kõrge valgust kiirgava efektiivsusega, sobib optiliste kuvarisüsteemide jaoks, nagu odavad punased, oranžid ja rohelised valgusdioodid (LED) ning kollase ja rohelise LCD taustvalgustus jne ning LED-kiipide tootmine madala kuni keskmise võimsusega Heleduse korral kasutatakse GaP-i laialdaselt ka infrapunaandurite ja seirekaamerate tootmise põhisubstraadina.