CZ Silicon Wafer

Kirjeldus

CZ Single Crystal Silicon Wafer on viilutatud Czochralski CZ kasvumeetodil tõmmatud monokristalli räni valuplokist, mida kasutatakse kõige laialdasemalt elektroonikatööstuses pooljuhtseadmete valmistamiseks kasutatavate suurte silindriliste valuplokkide ränikristallide kasvatamiseks.Selle protsessi käigus sisestatakse täpse orientatsiooni tolerantsiga kristallräni õhuke seeme sula ränivanni, mille temperatuuri täpselt kontrollitakse.Seemnekristall tõmmatakse aeglaselt sulast ülespoole väga kontrollitud kiirusega, aatomite kristalne tahkumine vedelast faasist toimub liideses, idukristallid ja tiigel pööratakse selle eemaldamisprotsessi ajal vastassuundades, luues suure üksiku seemne täiusliku kristalse struktuuriga kristallräni.

Tänu standardsele CZ valuploki tõmbamisele rakendatud magnetväljale on magnetväljaga indutseeritud Czochralski MCZ monokristallräni suhteliselt madalam lisandite kontsentratsioon, madalam hapnikutase ja dislokatsioon ning ühtlane takistuse varieeruvus, mis toimib hästi kõrgtehnoloogilistes elektroonilistes komponentides ja seadmetes. tootmine elektroonika- või fotogalvaanilises tööstuses.

Kohaletoimetamine

CZ või MCZ Single Crystal Silicon Wafer n- ja p-tüüpi juhtivus ettevõttes Western Minmetals (SC) Corporation saab tarnida läbimõõduga 2, 3, 4, 6, 8 ja 12 tolli (50, 75, 100, 125, 150, 200 ja 300 mm), orientatsioon <100>, <110>, <111> pinnaviimistlusega lapitud, söövitatud ja poleeritud vahtkarbis või kassetis, mille väliskülg on pappkarp.

Küsige kohe

Üksikasjad

Sildid

Tehniline kirjeldus

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer on põhimaterjal integraallülituste, dioodide, transistoride, diskreetsete komponentide tootmisel, mida kasutatakse igat tüüpi elektroonikaseadmetes ja pooljuhtseadmetes, samuti substraadina epitaksiaalses töötlemises, SOI-vahvlite substraadi või poolisolatsioonivahvli valmistamisel, eriti suurtes läbimõõduga 200 mm, 250 mm ja 300 mm on optimaalsed ülimalt integreeritud seadmete tootmiseks.Single Crystal Silicon kasutatakse päikesepatareide jaoks suurtes kogustes ka fotogalvaanilises tööstuses, mis peaaegu täiuslik kristallstruktuur annab kõrgeima valguse-elektri muundamise efektiivsuse.

Ei.	Üksused	Standardne spetsifikatsioon
1	Suurus	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Läbimõõt mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Juhtivus	P või N või legeerimata
4	Orienteerumine	<100>, <110>, <111>
5	Paksus μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 või vastavalt vajadusele
6	Eritakistus Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 jne
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Esmane lame/pikkus mm	Vastavalt SEMI standardile või vastavalt vajadusele
9	Sekundaarne lame/pikkus mm	Vastavalt SEMI standardile või vastavalt vajadusele
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Vibu ja lõime μm max	30	30	30	30	30	30
12	Pinna viimistlus	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Pakkimine	Vahtkarp või -kassett sees, pappkarp väljas.

Sümbol	Si
Aatomnumber	14
Aatomi kaal	28.09
Elemendi kategooria	Metalloid
Grupp, periood, plokk	14, 3, lk
Kristalli struktuur	Teemant
Värv	Tumehall
Sulamispunkt	1414 °C, 1687,15 K
Keemispunkt	3265°C, 3538,15 K
Tihedus 300K juures	2,329 g/cm³
Sisemine takistus	3,2E5 Ω-cm
CAS number	7440-21-3
EÜ number	231-130-8

CZ või MCZ Single Crystal Silicon Wafern-tüüpi ja p-tüüpi juhtivust ettevõttes Western Minmetals (SC) Corporation saab tarnida läbimõõduga 2, 3, 4, 6, 8 ja 12 tolli (50, 75, 100, 125, 150, 200 ja 300 mm), orientatsiooniga <100>, <110>, <111> pinnaviimistlusega nagu lõigatud, lapitud, söövitatud ja poleeritud vahtkarbi või kasseti pakendis, mille välimine pappkarp.