Indium fosfiid InP

Kirjeldus

Indium fosfiid InP,CAS nr 22398-80-7, sulamistemperatuur 1600 °C, on sünteesitud III-V perekonna kahekomponentne liitpooljuht, näokeskne kuubikujuline tsingi segu kristallstruktuur, mis on identne enamiku III-V pooljuhtidega. 6N 7N kõrge puhtusastmega indiumi- ja fosforielement, mis on kasvatatud monokristallideks LEC või VGF tehnikaga.Indiumfosfiidi kristallid on legeeritud n-tüüpi, p-tüüpi või poolisoleeriva juhtivusega kuni 6 tolli (150 mm) diameetriga vahvlite edasiseks valmistamiseks, millel on otsene ribavahe, elektronide ja aukude ülimalt suur liikuvus ning tõhus soojus juhtivus.Ettevõttes Western Minmetals (SC) Corporation saab indium Phosphide InP Wafer prime või test klassi pakkuda p-tüüpi, n-tüüpi ja poolisolatsiooni juhtivusega 2” 3” 4” ja 6” (kuni 150 mm) läbimõõduga, orientatsioon <111> või <100> ja paksus 350–625 um söövitatud ja poleeritud või Epi-valmis protsessi pinnaviimistlusega.Vahepeal on soovi korral saadaval indiumfosfiidist ühekristalliline valuplokk 2–6″.Saadaval on ka polükristalliline indiumfosfiidi InP või mitmekristalliline InP valuplokk suurusega D(60-75) x pikkus (180-400) mm 2,5-6,0 kg kandja kontsentratsiooniga alla 6E15 või 6E15-3E16.Soovi korral on saadaval kõik kohandatud spetsifikatsioonid, et saavutada täiuslik lahendus.

Rakendused

Indium Phosphide InP vahvlit kasutatakse laialdaselt optoelektrooniliste komponentide, suure võimsusega ja kõrgsageduslike elektroonikaseadmete tootmiseks epitaksiaalse indium-gallium-arseniidi (InGaAs) põhiste optoelektrooniliste seadmete substraadina.Indium Phosphide valmistatakse ka eriti paljulubavate valgusallikate jaoks optilise kiudkommunikatsiooni, mikrolaine toiteallika seadmete, mikrolainevõimendite ja värava FET-seadmete, kiirete modulaatorite ja fotodetektorite ning satelliitnavigatsiooni jms jaoks.

Küsige kohe

Üksikasjad

Sildid

Tehniline kirjeldus

Indium fosfiid InP

Indiumfosfiidi üksikkristallEttevõttes Western Minmetals (SC) Corporation saab vahvlit (InP kristallvaluplokk või vahvel) pakkuda p-tüüpi, n-tüüpi ja poolisoleeriva juhtivusega, mille läbimõõt on 2” 3” 4” ja 6” (kuni 150 mm), orientatsioon <111> või <100> ja paksus 350–625 um söövitatud ja poleeritud või Epi-valmis protsessi pinnaviimistlusega.

Indiumfosfiid Polükristallilinevõi Multi-Crystal valuplokk (InP polü valuplokk) suuruses D(60-75) x L(180-400) mm ja 2,5-6,0 kg kandeaine kontsentratsiooniga alla 6E15 või 6E15-3E16.Soovi korral on saadaval kõik kohandatud spetsifikatsioonid, et saavutada täiuslik lahendus.

Ei.	Üksused	Standardne spetsifikatsioon
1	Indiumfosfiidi üksikkristall	2"	3"	4"
2	Läbimõõt mm	50,8±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Kasvumeetod	VGF	VGF	VGF
4	Juhtivus	P/Zn-legeeritud, N/(S-legeeritud või legeerimata), Poolisoleeriv
5	Orienteerumine	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Paksus μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientatsioon Lame mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifitseerimine Lame mm	8±1	11±1	18±1
9	Liikuvus cm2/Vs	50-70, >2000, (1,5-4)E3
10	Kandja kontsentratsioon cm-3	(0,6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Vööri μm max	10	10	10
13	Lõike μm max	15	15	15
14	Dislokatsiooni tihedus cm-2 max	500	1000	2000
15	Pinnaviimistlus	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakkimine	Üks vahvlimahuti, mis on suletud alumiiniumist komposiitkotti.

Ei.	Üksused	Standardne spetsifikatsioon
1	Indiumfosfiidi valuplokk	Polükristalliline või mitmekristalliline valuplokk
2	Kristalli suurus	D(60-75) x L(180-400)mm
3	Kaal kristalli valuploki kohta	2,5-6,0 kg
4	Liikuvus	≥3500 cm²/VS
5	Kandja kontsentratsioon	≤6E15 või 6E15-3E16 cm^-3
6	Pakkimine	Iga InP kristallvaluplokk on suletud kilekotis, 2-3 valuplokki ühes pappkarbis.

Lineaarne valem	InP
Molekulmass	145,79
Kristalli struktuur	Tsingi segu
Välimus	Kristalliline
Sulamispunkt	1062 °C
Keemispunkt	Ei kehti
Tihedus 300K juures	4,81 g/cm³
Energialõhe	1,344 eV
Sisemine takistus	8,6E7 Ω-cm
CAS-i number	22398-80-7
EÜ number	244-959-5

Indium Phosphide InP vahvelkasutatakse laialdaselt optoelektrooniliste komponentide, suure võimsusega ja kõrgsageduslike elektroonikaseadmete tootmiseks epitaksiaalse indium-gallium-arseniidi (InGaAs) põhiste optoelektroonikaseadmete substraadina.Indium Phosphide valmistatakse ka eriti paljulubavate valgusallikate jaoks optilise kiudkommunikatsiooni, mikrolaine toiteallika seadmete, mikrolainevõimendite ja värava FET-seadmete, kiirete modulaatorite ja fotodetektorite ning satelliitnavigatsiooni jms jaoks.